Canale N 1200 V 40 A (Tc) 182W (Tc) Foro passante TO-247
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Canale N 1200 V 40 A (Tc) 182W (Tc) Foro passante TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW045N120C,S1F

Codice DigiKey
264-TW045N120CS1F-ND
Produttore
Codice produttore
TW045N120C,S1F
Descrizione
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 40 A (Tc) 182W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 6,7mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
57 nC @ 18 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+25V, -10V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1969 pF @ 800 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
182W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
175°C
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-247
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
59mOhm a 20A, 18V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 1
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 26,49000€ 26,49
30€ 17,20667€ 516,20
120€ 15,47133€ 1 856,56
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 26,49000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 32,31780