1 - 25
41.522
Confronta
Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
65.508
In magazzino
1 : € 1,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,49743
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)15 V3,4 A (Ta)5V30mohm a 1,5A, 5V2,5V a 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
998.161
In magazzino
1 : € 1,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,57516
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V550mohm a 100mA, 5V2,5V a 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
277.970
In magazzino
1 : € 1,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,57516
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V500mA (Ta)5V3,3ohm a 50mA, 5V2,5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
55.390
In magazzino
1 : € 1,65000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,69952
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V6,8 A (Ta)5V25mohm a 6A, 5V2,5V a 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
294.679
In magazzino
1 : € 1,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,57516
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V65mohm a 1A, 5V2,5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
145.913
In magazzino
1 : € 1,67000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,77219
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
EPC
14.355
In magazzino
1 : € 1,87000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 0,98821
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V3 A (Ta)5V43mohm a 1A, 5V2,5V a 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
43.256
In magazzino
1 : € 2,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,04473
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V6 A (Ta)5V30mohm a 6A, 5V2,5V a 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 5)Stampo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
26.787
In magazzino
1 : € 2,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,04473
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V4 A (Ta)5V160mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
33.315
In magazzino
1 : € 2,65000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,22642
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V16 A (Ta)5V7mohm a 16A, 5V2,5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
20.683
In magazzino
1 : € 2,65000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,22642
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V29 A (Ta)5V6mohm a 16A, 5V2,5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
9.031
In magazzino
1 : € 2,69000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,24156
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V29 A (Ta)5V3,6mohm a 15A, 5V2,5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
38.072
In magazzino
1 : € 2,92000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,34755
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V5 A (Ta)5V100mohm a 3A, 5V2,5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 4)Stampo
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
16.288
In magazzino
1 : € 3,08000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,42326
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V18 A (Ta)5V17mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 6)Stampo
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
178.594
In magazzino
1 : € 3,15000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,45354
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V18 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
14.788
In magazzino
1 : € 3,41000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 1,75636
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V14 A (Ta)5V22mohm a 14A, 5V2,5V a 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
7.020
In magazzino
1 : € 3,53000
Nastro pre-tagliato (CT)
1.000 : € 1,86537
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V60 A (Ta)5V3,6mohm a 25A, 5V2,5V a 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
98.504
In magazzino
1 : € 3,89000
Nastro pre-tagliato (CT)
1.000 : € 2,05191
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V8,5 A (Ta)5V42mohm a 7A, 5V2,5V a 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
23.617
In magazzino
1 : € 4,79000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 2,46798
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V48 A (Ta)5V3,8mohm a 25A, 5V2,5V a 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
21.387
In magazzino
1 : € 4,89000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 2,51341
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V53 A (Ta)5V4mohm a 33A, 5V2,5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
62.539
In magazzino
1 : € 4,79000
Nastro pre-tagliato (CT)
1.000 : € 2,53380
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V60 A (Ta)5V3,2mohm a 25A, 5V2,5V a 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
179.092
In magazzino
1 : € 4,98000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 2,55883
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V36 A (Ta)5V7mohm a 25A, 5V2,5V a 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 11)Stampo
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
38.103
In magazzino
1 : € 6,50000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 3,34616
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V32 A (Ta)5V8mohm a 20A, 5V2,5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
12.865
In magazzino
1 : € 6,94000
Nastro pre-tagliato (CT)
2.500 : € 3,57328
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V22 A (Ta)5V25mohm a 12A, 5V2,5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 7)Stampo
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
12.947
In magazzino
1 : € 6,60000
Nastro pre-tagliato (CT)
1.000 : € 3,78525
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V90 A (Ta)5V1,1mohm a 50A, 5V2,5V a 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
1 - 25
41.522

Transistor - FET, MOSFET - Singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.