Impostazioni
Consegna rapida
Spedizione gratuita
Incoterms
Modalità di pagamento
Prodotto Marketplace
FET, MOSFET singoli
Risultati : 42 075
Produttore
Serie
Confezionamento
Product Status
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
PRODOTTI MARKETPLACE
42 075Risultati
Visualizzati di 42 075
1 - 25
Confronta | Codice produttore | Quantità disponibile | Prezzo | Serie | Contenitore | Product Status | Tipo FET | Tecnologia | Tensione drain/source (Vdss) | Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | RDSon (max) a Id, Vgs | Vgs(th) max a Id | Carica del gate (Qg) max a Vgs | Vgs (max) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | Funzione FET | Dissipazione di potenza (max) | Temperatura di funzionamento | Tipo di montaggio | Contenitore del fornitore | Contenitore/involucro |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
24 547 In magazzino | 1 : € 0,80000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,36792 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 80 V | 1,7 A (Ta) | 5V | 80mohm a 1A, 5V | 2,5V a 600µA | 0.83 nC @ 5 V | +5.75V, -4V | 88 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
62 446 In magazzino | 1 : € 1,01000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,47094 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 15 V | 3,4 A (Ta) | 5V | 30mohm a 1,5A, 5V | 2,5V a 1mA | 0.93 nC @ 5 V | - | 105 pF @ 6 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
1 065 646 In magazzino | 1 : € 1,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,54453 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 1,7 A (Ta) | 5V | 550mohm a 100mA, 5V | 2,5V a 80µA | 0.12 nC @ 5 V | +6V, -4V | 14 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
269 272 In magazzino | 1 : € 1,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,54453 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 500mA (Ta) | 5V | 3,3ohm a 50mA, 5V | 2,5V a 20µA | 0.044 nC @ 5 V | +6V, -4V | 8.4 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
82 987 In magazzino | 1 : € 1,43000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,66226 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 80 V | 6,8 A (Ta) | 5V | 25mohm a 6A, 5V | 2,5V a 2mA | 2.4 nC @ 5 V | +6V, -4V | 210 pF @ 40 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
193 015 In magazzino | 1 : € 1,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,72376 Nastrato in bobina (TR) | - | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 8,2 A (Ta) | 5V | 13,5mohm a 11A, 5V | 2,5V a 3mA | 4.5 nC @ 5 V | +6V, -4V | 575 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | ||
53 521 In magazzino | 1 : € 1,62000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,81355 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 200 V | 3 A (Ta) | 5V | 43mohm a 1A, 5V | 2,5V a 1mA | 4.3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 573 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
44 567 In magazzino | 1 : € 1,96000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,97920 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 6 A (Ta) | 5V | 30mohm a 6A, 5V | 2,5V a 1,2mA | 2.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 220 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
20 186 In magazzino | 1 : € 1,96000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,97920 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 4 A (Ta) | 5V | 160mohm a 500mA, 5V | 2,5V a 250µA | 0.48 nC @ 5 V | +6V, -4V | 55 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
34 017 In magazzino | 1 : € 2,29000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,14950 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 29 A (Ta) | 5V | 6mohm a 16A, 5V | 2,5V a 4mA | 7.4 nC @ 5 V | +6V, -4V | 851 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
15 604 In magazzino | 1 : € 2,51000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,14950 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 16 A (Ta) | 5V | 7mohm a 16A, 5V | 2,5V a 5mA | 6.5 nC @ 5 V | +6V, -4V | 685 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
19 457 In magazzino | 1 : € 2,32000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,16369 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 40 V | 29 A (Ta) | 5V | 3,6mohm a 15A, 5V | 2,5V a 7mA | 8.5 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1111 pF @ 20 V | Standard | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
31 026 In magazzino | 1 : € 2,52000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,26303 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 200 V | 5 A (Ta) | 5V | 100mohm a 3A, 5V | 2,5V a 1mA | 1.3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 140 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
11 696 In magazzino | 1 : € 2,66000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,33399 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 80 V | 18 A (Ta) | 5V | 17mohm a 11A, 5V | 2,5V a 3mA | 4 nC @ 5 V | +5.75V, -4V | 415 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
170 896 In magazzino | 1 : € 2,71000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,36238 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 18 A (Ta) | 5V | 13,5mohm a 11A, 5V | 2,5V a 3mA | 4 nC @ 5 V | +6V, -4V | 407 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
4 284 In magazzino | 1 : € 2,75000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,50996 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 40 V | 4 A (Ta) | 5V | 110mohm a 500mA, 5V | 2,5V a 250µA | 0.45 nC @ 5 V | +6V, -4V | 52 pF @ 20 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
54 512 In magazzino | 1 : € 2,85000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 1,56589 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 65 V | 2 A (Ta) | 5V | 530mohm a 500mA, 5V | 2,5V a 250µA | - | +6V, -4V | 21 pF @ 32.5 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
9 361 In magazzino | 1 : € 3,05000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,76604 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 80 V | 60 A (Ta) | 5V | 3,6mohm a 25A, 5V | 2,5V a 7mA | 12.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1449 pF @ 40 V | Standard | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
107 364 In magazzino | 1 : € 3,35000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,94265 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 200 V | 8,5 A (Ta) | 5V | 42mohm a 7A, 5V | 2,5V a 1,5mA | 2.9 nC @ 5 V | +6V, -4V | 288 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
4 487 In magazzino | 1 : € 4,15000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 2,27893 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 48 A (Ta) | 5V | 3,8mohm a 25A, 5V | 2,5V a 9mA | 14.8 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1895 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
20 461 In magazzino | 1 : € 4,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 2,32087 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 40 V | 53 A (Ta) | 5V | 4mohm a 33A, 5V | 2,5V a 9mA | 8.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1180 pF @ 20 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
133 697 In magazzino | 1 : € 4,30000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 2,36282 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 36 A (Ta) | 5V | 7mohm a 25A, 5V | 2,5V a 5mA | 9 nC @ 5 V | +6V, -4V | 900 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | |||
72 491 In magazzino | 1 : € 4,15000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 2,39887 Nastrato in bobina (TR) | - | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 100 V | 60 A (Ta) | 5V | 3,2mohm a 25A, 5V | 2,5V a 7mA | 16.3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 2703 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | ||
29 855 In magazzino | 1 : € 6,15000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 3,08984 Nastrato in bobina (TR) | - | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 200 V | 32 A (Ta) | 5V | 8mohm a 20A, 5V | 2,5V a 6mA | 17.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1790 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo | ||
11 691 In magazzino | 1 : € 6,01000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 3,29955 Nastrato in bobina (TR) | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Attivo | Canale N | GaNFET (nitruro di gallio) | 200 V | 22 A (Ta) | 5V | 25mohm a 12A, 5V | 2,5V a 3mA | 5.3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 540 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | A montaggio superficiale | Stampo | Stampo |
Visualizzati di 42 075
1 - 25
FET, MOSFET singoli
I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.
