Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Risultati : 41.067
Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGaNPower
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Serie
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGTâ„¢aMOS5â„¢aMOSâ„¢AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFETâ„¢Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOSâ„¢Automotive, AEC-Q101, CoolMOSâ„¢ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOSâ„¢ CFD7A
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Confezionamento
-BustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
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Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoletoPreliminare
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Tipo FET
-Canale NCanale P
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Tecnologia
-GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)SiCFET (SiCJFET cascode)SiCFET (carburo di silicio)
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Tensione drain/source (Vdss)
1.2 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V
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Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
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Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
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RDSon (max) a Id, Vgs
0,4mohm a 150A, 10V0,4mohm a 30A, 10V0.4 mohm a 50A, 10V0,42mohm a 50A, 10V0,45mohm a 30A, 10V0,45mohm a 50A, 10V0,45mohm a 60A, 4,5V0,47mohm a 20A, 10V0.48 mohm a 50A, 10V0,52mohm a 20A, 10V0,52mohm a 30A, 10V0,53mohm a 20A, 10V0,55mohm a 25A, 10V
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Vgs(th) max a Id
400mV a 1mA (min)400mV a 250µA (min)400mV a 250µA450mV a 100µA (min)450mV a 1mA (min)450mV a 250µA (min)450mV a 250µA450mV a 2mA (min)500mV a 250µA (min)500mV a 250µA570mV a 1mA600mV a 1,2mA (min)600mV a 1mA (min)
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Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
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Vgs (max)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
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Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1.21 pF @ 150 V1.33 pF @ 400 V1.37 pF @ 800 V1.86 pF @ 15 V2.05 pF @ 30 V2.3 pF @ 15 V2.8 pF @ 30 V3.4 pF @ 25 V3.4 pF @ 30 V3.5 pF @ 15 V3.5 pF @ 30 V
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Funzione FET
-Diodo Schottky (body)Diodo Schottky (isolato)Diodo di rilevamento temperaturaModalità di svuotamentoRilevamento della correnteStandardSuper Junction
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Dissipazione di potenza (max)
1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
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Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)
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Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
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Contenitore del fornitore
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
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Contenitore/involucro
2-PowerTSFN3-DFN Piazzola esposta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conduttori piatti3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, conduttore piatto3-SMD, conduttori piatti3-SMD, non standard3-SMD, senza piombo3-UDFN
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Supporti
Opzioni ambientali
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Prezzo
Magazzino
Fornitore
Produttore
Qtà min
Codice DK
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
MCAC80N06YA-TP
MCAC80N06YA-TP
MCAC80N06YA-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCAC80N06YA-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MCQ3779-TP
MCQ3779-TP
MCQ3779-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCQ3779-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MOSFET
MCAC130N04 -TP
MOSFET
Attivo
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCAC130N04-TP-ND
*
Sfuso
Attivo----------------
MOSFET
MCG04N10Y-TP
MOSFET
Attivo
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCG04N10Y-TP-ND
*
Sfuso
Attivo----------------
MOSFET
SIL03N10A-TP
MOSFET
€ 156,15072
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
3.000
Non in magazzino
353-SIL03N10A-TP-ND
*
Sfuso
Attivo----------------
MCAC60N150Y-TP
MCAC60N150Y-TP
MCAC60N150Y-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCAC60N150Y-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MCAC50N06Y-TP
MCAC50N06Y-TP
MCAC50N06Y-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCAC50N06Y-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MCAC10H04Y-TP
MCAC10H04Y-TP
MCAC10H04Y-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCAC10H04Y-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MCG18P02A-TP
MCG18P02A-TP
MCG18P02A-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCG18P02A-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MCG30N03-TP-HF
MCG30N03-TP-HF
MCG30N03-TP-HF
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCG30N03-TP-HF-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
BSS123IXTMA1
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
€ 0,39000
0 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
448-BSS123IXTMA1TR-ND
448-BSS123IXTMA1CT-ND
448-BSS123IXTMA1DKR-ND
*
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo----------------
MCU01N60-TP
MCU01N60-TP
MCU01N60-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCU01N60-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MCG10N15A-TP
MCG10N15A-TP
MCG10N15A-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCG10N15A-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MCAC70N06Y-TP
MCAC70N06Y-TP
MCAC70N06Y-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCAC70N06Y-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
BSS139IXTMA1
250V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
€ 0,46000
0 - Immediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
448-BSS139IXTMA1TR-ND
448-BSS139IXTMA1CT-ND
448-BSS139IXTMA1DKR-ND
*
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo----------------
MCMG69-TP
MCMG69-TP
MCMG69-TP
Obsoleto
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
-
Non in magazzino
353-MCMG69-TP-ND
*
Sfuso
Obsoleto----------------
MOSFET
MSJPF06N80A-BP
MOSFET
€ 712,61256
0 - Immediato
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
5.000
Non in magazzino
353-MSJPF06N80A-BP-ND
*
Sfuso
Attivo----------------
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
€ 0,78000
305.471 - Immediato
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V65mohm a 1A, 5V2,5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
€ 1,08000
281.312 - Immediato
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm a 50mA, 5V2,5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
€ 1,08000
71.548 - Immediato
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)15 V3,4 A (Ta)5V30mohm a 1,5A, 5V2,5V a 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
€ 1,66000
102.032 - Immediato
EPCEPC
1
917-1202-2-ND
917-1202-1-ND
917-1202-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
€ 1,90000
27.890 - Immediato
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V4 A (Ta)5V160mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
€ 2,00000
59.641 - Immediato
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V6 A (Ta)5V30mohm a 6A, 5V2,5V a 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 5)Stampo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
€ 2,33000
37.979 - Immediato
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V29 A (Ta)5V6mohm a 16A, 5V2,5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
€ 2,33000
42.297 - Immediato
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V16 A (Ta)5V7mohm a 16A, 5V2,5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
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