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Confronta
Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Product Status
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
EPC2203
EPC2203
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
EPC
24 547
In magazzino
1 : € 0,80000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,36792
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V1,7 A (Ta)5V80mohm a 1A, 5V2,5V a 600µA0.83 nC @ 5 V+5.75V, -4V88 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
62 446
In magazzino
1 : € 1,01000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,47094
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)15 V3,4 A (Ta)5V30mohm a 1,5A, 5V2,5V a 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1 065 646
In magazzino
1 : € 1,28000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,54453
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V550mohm a 100mA, 5V2,5V a 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
269 272
In magazzino
1 : € 1,28000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,54453
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V500mA (Ta)5V3,3ohm a 50mA, 5V2,5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
82 987
In magazzino
1 : € 1,43000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,66226
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V6,8 A (Ta)5V25mohm a 6A, 5V2,5V a 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
193 015
In magazzino
1 : € 1,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,72376
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
EPC
53 521
In magazzino
1 : € 1,62000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,81355
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V3 A (Ta)5V43mohm a 1A, 5V2,5V a 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
44 567
In magazzino
1 : € 1,96000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,97920
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V6 A (Ta)5V30mohm a 6A, 5V2,5V a 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
20 186
In magazzino
1 : € 1,96000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,97920
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V4 A (Ta)5V160mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
34 017
In magazzino
1 : € 2,29000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,14950
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V29 A (Ta)5V6mohm a 16A, 5V2,5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
15 604
In magazzino
1 : € 2,51000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,14950
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V16 A (Ta)5V7mohm a 16A, 5V2,5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
19 457
In magazzino
1 : € 2,32000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,16369
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V29 A (Ta)5V3,6mohm a 15A, 5V2,5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
31 026
In magazzino
1 : € 2,52000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,26303
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V5 A (Ta)5V100mohm a 3A, 5V2,5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
11 696
In magazzino
1 : € 2,66000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,33399
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V18 A (Ta)5V17mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
170 896
In magazzino
1 : € 2,71000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,36238
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V18 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
4 284
In magazzino
1 : € 2,75000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,50996
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V4 A (Ta)5V110mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.45 nC @ 5 V+6V, -4V52 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
54 512
In magazzino
1 : € 2,85000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,56589
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)65 V2 A (Ta)5V530mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
9 361
In magazzino
1 : € 3,05000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 1,76604
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V60 A (Ta)5V3,6mohm a 25A, 5V2,5V a 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
107 364
In magazzino
1 : € 3,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 1,94265
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V8,5 A (Ta)5V42mohm a 7A, 5V2,5V a 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
4 487
In magazzino
1 : € 4,15000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 2,27893
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V48 A (Ta)5V3,8mohm a 25A, 5V2,5V a 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
20 461
In magazzino
1 : € 4,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 2,32087
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V53 A (Ta)5V4mohm a 33A, 5V2,5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
133 697
In magazzino
1 : € 4,30000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 2,36282
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V36 A (Ta)5V7mohm a 25A, 5V2,5V a 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
72 491
In magazzino
1 : € 4,15000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 2,39887
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V60 A (Ta)5V3,2mohm a 25A, 5V2,5V a 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
29 855
In magazzino
1 : € 6,15000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 3,08984
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V32 A (Ta)5V8mohm a 20A, 5V2,5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
11 691
In magazzino
1 : € 6,01000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 3,29955
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V22 A (Ta)5V25mohm a 12A, 5V2,5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
Visualizzati
1 - 25
di 42 075

FET, MOSFET singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.