FET, MOSFET singoli

Risultati : 40 995
Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGaNPower
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™
Confezionamento
BustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
Stato del prodotto
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
Tipo FET
-Canale NCanale P
Tecnologia
-GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)SiCFET (SiCJFET cascode)SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs
0,29mohm a 50A, 10V0,3mohm a 200A, 10V0,35mohm a 50A, 10V0,4mohm a 150A, 10V0,4mohm a 30A, 10V0.4 mohm a 50A, 10V0,42mohm a 50A, 10V0,44mohm a 88A, 10V0,45mohm a 30A, 10V0,45mohm a 50A, 10V0,45mohm a 60A, 4,5V0.45mOhm @ 30A, 7V
Vgs(th) max a Id
400mV a 1mA (min)400mV a 250µA (min)450mV a 100µA (min)450mV a 1mA (min)450mV a 250µA (min)450mV a 2mA (min)500mV a 250µA (min)570mV a 1mA (tip.)600mV a 1,2mA (min)600mV a 1mA (min)600mV a 1mA (tip.)600mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V210 pC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Funzione FET
-Diodo Schottky (body)Diodo Schottky (isolato)Diodo di rilevamento temperaturaModalità di svuotamentoRilevamento della correnteStandard
Dissipazione di potenza (max)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C
Grado
-AutomobilisticoMilitare
Qualifica
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Contenitore/involucro
2-DFN piazzola esposta3-DFN piazzola esposta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conduttori piatti3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Variante SOT-23-33-SMD, conduttore piatto3-SMD, conduttori piatti
Opzioni di magazzino
Opzioni ambientali
Supporti
PRODOTTI MARKETPLACE
40 995Risultati

Visualizzati
di 40 995
Confronta
Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
49 415
In magazzino
1 : € 0,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,02950
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
493 647
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03129
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
39 224
In magazzino
1 : € 0,18000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03245
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)50 V220mA (Tj)4,5V, 10V3,5ohm a 220mA, 10V1,5V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
48 889
In magazzino
1 : € 0,19000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03257
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)50 V200mA (Ta)10V3,5ohm a 220mA, 10V1,5V a 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
180 519
In magazzino
1 : € 0,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03360
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6ohm a 500mA, 10V2,3V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 729
In magazzino
1 : € 0,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03360
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V380mA (Ta)5V, 10V2ohm a 500mA, 10V2,5V a 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 491 871
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03504
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2ohm a 100mA, 2,5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--A montaggio superficialeEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
751 500
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03525
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale PMOSFET (ossido di metallo)50 V180mA (Ta)10V7,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
522 894
In magazzino
1 : € 0,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03648
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5ohm a 240mA, 10V2,5V a 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 289 103
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02917
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V360mA (Ta)10V1,6ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 166 718
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03790
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Non per nuovi progettiCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V360mA (Ta)10V1,6ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q100A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
591 952
In magazzino
6 000
Fabbrica
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03689
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
376 254
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03792
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale PMOSFET (ossido di metallo)50 V130mA (Ta)5V10ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
172 458
In magazzino
2 350 000
Fabbrica
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02838
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-323SC-70, SOT-323
101 727
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
10 000 : € 0,02854
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
58 170
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03689
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5ohm a 240mA, 10V2,6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
2 679
In magazzino
1 : € 0,22000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03710
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V-1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-350mW (Ta)150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
887 610
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03873
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V360mA (Ta)10V1,6ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
871 240
In magazzino
1 : € 0,23000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,03916
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--A montaggio superficialeUMT3FSC-85
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
808 934
In magazzino
1 : € 0,25000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04182
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V350mA (Ta)10V1,6ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
417 047
In magazzino
1 : € 0,25000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04164
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
281 863
In magazzino
1 : € 0,25000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04122
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)100 V170mA (Ta)10V6ohm a 170mA, 10V2V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 038 253
In magazzino
1 : € 0,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04390
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V320mA (Ta)10V1,6ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)AutomobilisticoAEC-Q101A montaggio superficialeSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
892 837
In magazzino
1 : € 0,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04390
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
744 030
In magazzino
1 : € 0,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 0,04388
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NMOSFET (ossido di metallo)60 V300mA (Tc)10V5ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)--A montaggio superficialeTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Visualizzati
di 40 995

FET, MOSFET singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.