Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Risultati : 33.198
Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedEPCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorHoneywell AerospaceInfineon TechnologiesIXYSIXYS Integrated Circuits DivisionIXYS-RFLittelfuse Inc.
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Serie
-*AlphaMOSAlphaSGTâ„¢aMOS5â„¢aMOSâ„¢AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFETâ„¢Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOSâ„¢Automotive, AEC-Q101, CoolMOSâ„¢ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOSâ„¢ CFD7AAutomotive, AEC-Q101, CoolSiCâ„¢
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Confezionamento
-BustaDigi-Reel®Nastrato in bobina (TR)Nastrato in scatola (TB)Nastro pre-tagliato (CT)ScatolaSfusoStrisciaTuboVassoio
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Stato componente
AttivoData di acquisto finaleFuori produzione presso Digi-KeyNon per nuovi progettiObsoleto
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Tipo FET
-Canale NCanale P
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Tecnologia
-GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)GaNFET (nitruro di gallio)MOSFET (ossido di metallo)SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)SiCFET (SiCJFET cascode)SiCFET (carburo di silicio)
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Tensione drain/source (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
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Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
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Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-0.35V0V0V, 10V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
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RDSon (max) a Id, Vgs
0,4mohm a 150A, 10V0,4mohm a 30A, 10V0.4 mohm a 50A, 10V0,42mohm a 50A, 10V0,45mohm a 30A, 10V0,45mohm a 50A, 10V0,45mohm a 60A, 4,5V0,47mohm a 20A, 10V0.48 mohm a 50A, 10V0,52mohm a 30A, 10V0,53mohm a 20A, 10V0,55mohm a 25A, 10V0,55mohm a 50A, 10V
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Vgs(th) max a Id
400mV a 1mA (min)400mV a 250µA (min)400mV a 250µA450mV a 100µA (min)450mV a 1mA (min)450mV a 250µA (min)450mV a 250µA450mV a 2mA (min)500mV a 250µA (min)500mV a 250µA570mV a 1mA600mV a 1,2mA (min)600mV a 1mA (min)
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Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
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Vgs (max)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V+5,5V, -0,3V
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Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
0.0237 pF @ 25 V0.0242 pF @ 25 V0.131 pF @ 25 V3.288 pF @ 400 V3.5 pF @ 15 V4.411 pF @ 50 V4.5 pF @ 5 V4.559 pF @ 40 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V
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Funzione FET
-Diodo Schottky (body)Diodo Schottky (isolato)Diodo di rilevamento temperaturaModalità di svuotamentoRilevamento della correnteStandardSuper Junction
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Dissipazione di potenza (max)
0,49mW1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
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Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)
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Tipo di montaggio
-A montaggio superficialeForo passanteMontaggio su telaioMontaggio superficiale, fianchi impregnabili
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Contenitore del fornitore
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN0806H43-DFN1411 (1,4x1,1)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
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Contenitore/involucro
3-DFN Piazzola esposta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conduttori piatti3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, conduttore piatto3-SMD, conduttori piatti3-SMD, non standard3-SMD, senza piombo3-UDFN3-UFDFN
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Opzioni di magazzino
Supporti
Opzioni ambientali
PRODOTTI MARKETPLACE
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Confronta
Codice produttore
Prezzo
Magazzino
Fornitore
Produttore
Qtà min
Codice DK
Serie
Contenitore
Stato componente
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
€ 0,75000
332.482 - Immediato
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V65mohm a 1A, 5V2,5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
€ 1,03000
90.101 - Immediato
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)15 V3,4 A (Ta)5V30mohm a 1,5A, 5V2,5V a 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
€ 1,03000
192.007 - Immediato
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm a 50mA, 5V2,5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
€ 1,19000
493.302 - Immediato
EPCEPC
1
917-1137-2-ND
917-1137-1-ND
917-1137-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V550mohm a 100mA, 5V2,5V a 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
€ 1,45000
53.379 - Immediato
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V6,8 A (Ta)5V25mohm a 6A, 5V2,5V a 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
€ 1,85000
41.315 - Immediato
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V16 A (Ta)5V7mohm a 16A, 5V2,5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 2.7A DIE
€ 1,81000
14.110 - Immediato
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V2,7 A (Ta)5V160mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
€ 1,90000
32.629 - Immediato
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V6 A (Ta)5V30mohm a 6A, 5V2,5V a 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 5)Stampo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
€ 2,22000
56.566 - Immediato
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
*
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo----------------
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
€ 2,36000
15.730 - Immediato
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V29 A (Ta)5V3,6mohm a 15A, 5V2,5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
€ 2,45000
17.748 - Immediato
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V5 A (Ta)5V100mohm a 3A, 5V2,5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 4)Stampo
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
€ 2,66000
217.567 - Immediato
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V18 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
€ 2,64000
23.566 - Immediato
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)65 V2 A (Ta)5V530mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
€ 2,95000
13.210 - Immediato
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V48 A (Ta)5V3,8mohm a 25A, 5V2,5V a 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
€ 3,06000
34.207 - Immediato
EPCEPC
1
917-EPC2059TR-ND
917-EPC2059CT-ND
917-EPC2059DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo----------------
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
€ 3,26000
60.280 - Immediato
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V8,5 A (Ta)5V50mohm a 7A, 5V2,5V a 1,5mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V270 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
€ 4,02000
6.592 - Immediato
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V----------A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
€ 4,17000
95.346 - Immediato
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V36 A (Ta)5V7mohm a 25A, 5V2,5V a 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 11)Stampo
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
€ 4,30000
12.311 - Immediato
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V53 A (Ta)5V4mohm a 33A, 5V2,5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
€ 5,44000
12.325 - Immediato
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V32 A (Ta)5V8mohm a 20A, 5V2,5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
€ 5,83000
8.632 - Immediato
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V22 A (Ta)5V25mohm a 12A, 5V2,5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeIngombro stampo (barra di saldatura 7)Stampo
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
€ 5,70000
46.923 - Immediato
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V90 A (Ta)5V2,2mohm a 29A, 5V2,5V a 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
€ 5,86000
22.227 - Immediato
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)60 V31 A (Ta)-2,6mohm a 30A, 5V2,5V a 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2029
GANFET N-CH 80V 48A DIE
€ 5,95000
21.156 - Immediato
EPCEPC
1
917-1107-2-ND
917-1107-1-ND
917-1107-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V48 A (Ta)5V3,2mohm a 30A, 5V2,5V a 12mA13 nC @ 5 V+6V, -4V1410 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2032
GANFET N-CH 100V 48A DIE
€ 6,07000
22.132 - Immediato
EPCEPC
1
917-1126-2-ND
917-1126-1-ND
917-1126-6-ND
eGaN®
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V48 A (Ta)5V4mohm a 30A, 5V2,5V a 11mA15 nC @ 5 V+6V, -4V1530 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
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