Name: 2N7002WT1G
Brand: onsemi
SKU: 2N7002WT1GOSTR-ND
Price: 0.1952 EUR
Availability: InStock

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2N7002WT1G
Codice DigiKey	2N7002WT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2N7002WT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2N7002WT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	2N7002WT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 310mA (Ta) 280mW (Tj) A montaggio superficiale SC-70-3 (SOT323)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2N7002WT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	310mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,6ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	24.5 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	280mW (Tj)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-70-3 (SOT323)
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	2N7002

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Nastrato in bobina (TR)