Name: SSM3K35AMFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K35AMFVL3FTR-ND
Price: 0.2318 EUR
Availability: InStock

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SSM3K35AMFV,L3F
Codice DigiKey	SSM3K35AMFVL3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3K35AMFVL3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3K35AMFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3K35AMFV,L3F
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale VESM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3K35AMFV,L3F Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 100µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.34 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSIII	Vgs (max) ±10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 36 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore VESM
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 250mA (Ta)	Contenitore/involucro SOT-723
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base SSM3K35
RDSon (max) a Id, Vgs 1,1ohm a 150mA, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)