FET, MOSFET RF

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tecnologia	Configurazione	Frequenza	Guadagno	Tensione - Test	Corrente nominale (A)	Cifra di rumore	Corrente - Test	Potenza - Uscita	Tensione - Nominale	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
MMBF5485 RF MOSFET JFET 15V SOT23-3 onsemi	42 641 In magazzino	1 : € 0,39000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,08406 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	JFET	Canale N	400MHz	-	15 V	10mA	4dB	-	-	25 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
CE3512K2-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	14 878 In magazzino	1 : € 1,44000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,69326 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	pHEMT FET	-	12GHz	13,7dB	2 V	15mA	0,5dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
CE3520K3-C1 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX CEL	4 569 In magazzino	1 : € 1,97000 Nastro pre-tagliato (CT) 10 000 : € 0,97625 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	pHEMT FET	-	20GHz	13,8dB	2 V	15mA	0,8dB	10 mA	125mW	4 V	-	-	-	4-Micro-X	4-Micro-X
AFT05MS004NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A NXP USA Inc.	10 732 In magazzino	1 : € 3,07000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,70775 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	LDMOS	-	520MHz	20,9dB	7.5 V	-	-	100 mA	4,9W	30 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-243AA	SOT-89A
PD55003L-E RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT STMicroelectronics	8 975 In magazzino	1 : € 6,64000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 3,81107 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	500MHz	19dB	12.5 V	2,5A	-	50 mA	3W	40 V	-	-	-	8-PowerVDFN	PowerFLAT™ (5x5)
PTFC270101M-V1-R1K RF MOSFET LDMOS 28V 10SON MACOM Technology Solutions	1 000 In magazzino	1 000 : € 8,68654 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	2,17GHz	20,5dB	28 V	-	-	120 mA	2,4W	65 V	-	-	A montaggio superficiale	10-LDFN piazzola esposta	PG-SON-10
TAV2-501+ RF MOSFET E-PHEMT 4.5V MC1631-1 Mini-Circuits	7 654 In magazzino	1 : € 11,86000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 1,39057 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	E-pHEMT	-	400MHz ~ 3,9GHz	23,5dB	4.5 V	-	1,3dB	280 mA	-	7 V	-	-	A montaggio superficiale	8-TFDFN piazzola esposta	MC1631-1
AFT09MS007NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W NXP USA Inc.	3 920 In magazzino	1 : € 12,66000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 7,88309 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	870MHz	15,2dB	7.5 V	-	-	100 mA	7,3W	30 V	-	-	A montaggio superficiale	PLD-1,5W	PLD-1,5W
SAV-331+ RF MOSFET D-PHEMT 4V MMM1362 Mini-Circuits	1 525 In magazzino	1 : € 14,24000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,65831 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	D-pHEMT	-	10MHz ~ 4GHz	24,6dB	4 V	-	0,9dB	60 mA	21,1dBm	5 V	-	-	A montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	MMM1362
SAV-551+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	4 027 In magazzino	1 : € 15,66000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 1,02781 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	E-pHEMT	-	45MHz ~ 6GHz	20,9dB	3 V	-	1,8dB	15 mA	20dBm	5 V	-	-	A montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	MMM1362
SAV-541+ RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362 Mini-Circuits	2 806 In magazzino	1 : € 15,66000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 1,50285 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	E-pHEMT	-	45MHz ~ 6GHz	23,2dB	3 V	-	1,9dB	60 mA	21,5dB	5 V	-	-	A montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	MMM1362
BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	1 555 In magazzino	1 : € 17,08000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 11,08596 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	400MHz ~ 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	180 mA	43dBm	65 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S10GZ RF MOSFET LDMOS 50V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	784 In magazzino	1 : € 19,09000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 12,49038 Nastrato in bobina (TR)	BLP	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	Doppio, sorgente comune	1,4GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	60 mA	10W	104 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S10Z RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 Ampleon USA Inc.	360 In magazzino	1 : € 19,09000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 12,49038 Nastrato in bobina (TR)	BLP	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	Doppio, sorgente comune	1,4GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	60 mA	10W	104 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1482-1	SOT-1482-1
MW6S004NT1 RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 NXP USA Inc.	4 021 In magazzino	1 : € 19,76000 Nastro pre-tagliato (CT) 1 000 : € 12,70520 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1,96GHz	18dB	28 V	-	-	50 mA	4W	68 V	-	-	A montaggio superficiale	PLD-1,5	PLD-1,5
BLP15H9S30Z RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 Ampleon USA Inc.	357 In magazzino	1 : € 19,95000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 13,09308 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1,5GHz	22dB	50 V	1,4µA	-	10 mA	30W	106 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1482-1	SOT-1482-1
BLP15M9S30GZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	251 In magazzino	1 : € 21,22000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 13,98440 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	Canale N	1,5GHz	19,3dB	-	-	-	-	30W	65 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP0427M9S20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	244 In magazzino	1 : € 22,73000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 15,04810 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	400MHz ~ 2,7GHz	19dB	28 V	1,4µA	-	100 mA	20W	65 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S100GZ RF MOSFET LDMOS SOT1483-1 Ampleon USA Inc.	857 In magazzino	1 : € 23,17000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 15,36006 Nastrato in bobina (TR)	BLP	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1MHz ~ 1,5GHz	17dB	-	-	-	-	100W	50 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1483-1	SOT1483-1
BLP15H9S100Z RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1 Ampleon USA Inc.	851 In magazzino	1 : € 23,17000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 15,36006 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1,5GHz	19dB	50 V	1,4µA	-	30 mA	100W	106 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1482-1	SOT-1482-1
BLP15M9S100Z RF MOSFET LDMOS 32V SOT1482-1 Ampleon USA Inc.	770 In magazzino	1 : € 23,17000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 15,36006 Nastrato in bobina (TR)	BLP	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	1,5GHz	15,7dB	32 V	1,4µA	-	400 mA	100W	65 V	-	-	A montaggio superficiale	SOT-1482-1	SOT-1482-1
AFT09MS031GNR1 RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 NXP USA Inc.	1 167 In magazzino	1 : € 24,76000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 16,48438 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	870MHz	17,2dB	13.6 V	-	-	500 mA	31W	40 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-270BA	TO-270-2 GULL
AFT05MS031GNR1 RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 NXP USA Inc.	785 In magazzino	1 : € 30,27000 Nastro pre-tagliato (CT) 500 : € 20,41570 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	LDMOS	-	520MHz	17,7dB	13.6 V	-	-	10 mA	31W	40 V	-	-	A montaggio superficiale	TO-270BA	TO-270-2 GULL
MRF101BN RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 NXP USA Inc.	131 In magazzino	1 : € 31,86000 Tubo	-	Tubo	Attivo	LDMOS	-	1,8MHz ~ 250MHz	21,1dB	50 V	10µA	-	100 mA	115W	133 V	-	-	-	TO-220-3	TO-220-3
MRF101AN RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 NXP USA Inc.	466 In magazzino	1 : € 36,24000 Tubo	-	Tubo	Attivo	LDMOS	-	1,8MHz ~ 250MHz	21,1dB	50 V	10µA	-	100 mA	115W	133 V	-	-	-	TO-220-3	TO-220-3

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I transistor RF, FET e MOSFET sono dispositivi a semiconduttori dotati di tre terminali. Il flusso di corrente che li attraversa è controllato mediante un campo elettrico. I dispositivi di questa famiglia sono destinati all'impiego nelle apparecchiature che utilizzano frequenze radio. I tipi di transistor per l'amplificazione o la commutazione di segnali o potenza includono E-pHEMT, LDMOS, MESFET, canale N, canale P, pHEMT, carburo di silicio, 2 canali N e 4 canali N.

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