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Codice produttore
Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
RDSon (max) a Id, Vgs
Vgs(th) max a Id
Carica del gate (Qg) max a Vgs
Vgs (max)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di funzionamento
Tipo di montaggio
Contenitore del fornitore
Contenitore/involucro
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1 024 071
In magazzino
1 : € 1,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,50876
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V550mohm a 100mA, 5V2,5V a 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
7 889
In magazzino
1 : € 1,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,50876
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V1,7 A (Ta)5V65mohm a 1A, 5V2,5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
268 724
In magazzino
1 : € 1,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,50876
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V500mA (Ta)5V3,3ohm a 50mA, 5V2,5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
82 857
In magazzino
1 : € 1,46000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,61877
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V6,8 A (Ta)5V25mohm a 6A, 5V2,5V a 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
179 278
In magazzino
1 : € 1,48000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,67622
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
51 831
In magazzino
1 : € 1,66000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,83251
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V3 A (Ta)5V43mohm a 1A, 5V2,5V a 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
20 009
In magazzino
1 : € 2,00000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,91489
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V4 A (Ta)5V160mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
42 005
In magazzino
1 : € 2,00000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 0,91489
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V6 A (Ta)5V30mohm a 6A, 5V2,5V a 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
14 985
In magazzino
1 : € 2,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,07400
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V29 A (Ta)5V6mohm a 16A, 5V2,5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
19 411
In magazzino
1 : € 2,38000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,08726
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V29 A (Ta)5V3,6mohm a 15A, 5V2,5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
12 370
In magazzino
1 : € 2,58000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,18008
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V16 A (Ta)5V7mohm a 16A, 5V2,5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
26 900
In magazzino
1 : € 2,58000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,18008
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V5 A (Ta)5V100mohm a 3A, 5V2,5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
6 551
In magazzino
1 : € 2,72000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,24637
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V18 A (Ta)5V17mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
164 212
In magazzino
1 : € 2,78000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,27289
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V18 A (Ta)5V13,5mohm a 11A, 5V2,5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
54 112
In magazzino
1 : € 2,92000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 1,46304
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)65 V2 A (Ta)5V530mohm a 500mA, 5V2,5V a 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
8 102
In magazzino
1 : € 3,12000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 1,65005
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V60 A (Ta)5V3,6mohm a 25A, 5V2,5V a 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
109 823
In magazzino
1 : € 3,43000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 1,81505
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V8,5 A (Ta)5V42mohm a 7A, 5V2,5V a 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
18 561
In magazzino
1 : € 4,32000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 2,16844
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V53 A (Ta)5V4mohm a 33A, 5V2,5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
122 148
In magazzino
1 : € 4,40000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 2,20762
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V36 A (Ta)5V7mohm a 25A, 5V2,5V a 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
69 762
In magazzino
1 : € 4,58000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 2,42007
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V60 A (Ta)5V3,2mohm a 25A, 5V2,5V a 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
25 052
In magazzino
1 : € 5,75000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 2,88689
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V32 A (Ta)5V8mohm a 20A, 5V2,5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
12 669
In magazzino
1 : € 6,45000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 500 : € 3,23959
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)200 V22 A (Ta)5V25mohm a 12A, 5V2,5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
11 009
In magazzino
1 : € 5,85000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 3,31482
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)40 V90 A (Ta)5V1,1mohm a 50A, 5V2,5V a 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
91 057
In magazzino
1 : € 5,72000
Nastro pre-tagliato (CT)
500 : € 3,58688
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)80 V90 A (Ta)5V2,2mohm a 29A, 5V2,5V a 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
4 572
In magazzino
1 : € 6,45000
Nastro pre-tagliato (CT)
1 000 : € 3,41009
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
AttivoCanale NGaNFET (nitruro di gallio)100 V64A (Ta)5V2,2mohm a 30A, 5V2,5V a 13mA26 nC @ 5 V+6V, -4V3931 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)A montaggio superficialeStampoStampo
Visualizzati
1 - 25
di 42 811

FET, MOSFET singoli


I transistor a effetto di campo (FET) discreti sono ampiamente utilizzati nella conversione di potenza, nel controllo motori, nell'illuminazione a stato solido e in altre applicazioni in cui la loro capacità di poter essere accesi e spenti ad alte frequenze mentre trasportano notevoli quantità di corrente rappresenta un vantaggio. Sono utilizzati quasi ovunque per applicazioni che richiedono tensioni nominali di alcune centinaia di volt o meno, al di sopra delle quali diventano più competitivi altri tipi di dispositivi, come gli IGBT.