Name: XP6NA1R4CXT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP6NA1R4CXTTR-ND
Price: 3.233 EUR
Availability: InStock

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XP6NA1R4CXT
Codice DigiKey	5048-XP6NA1R4CXTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP6NA1R4CXTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP6NA1R4CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP6NA1R4CXT
Descrizione	FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 44,6A (Ta), 100A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) A montaggio superficiale PMPAK® 5 x 6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,45mohm a 20A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie XP6NA1R4C	Carica del gate (Qg) max a Vgs 195 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11520 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 113,6W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 44,6A (Ta), 100A (Tc)	Contenitore del fornitore PMPAK® 5 x 6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN