
SIR626DP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | SIR626DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR626DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR626DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR626DP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 100 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR626DP-T1-RE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,7mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 78 nC @ 7.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5130 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,26000 | € 2,26 |
| 10 | € 1,45700 | € 14,57 |
| 100 | € 0,99870 | € 99,87 |
| 500 | € 0,80284 | € 401,42 |
| 1 000 | € 0,80279 | € 802,79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,65997 | € 1 979,91 |
| 6 000 | € 0,65587 | € 3 935,22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,26000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,75720 |




