Name: XP10TN135K
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN135KTR-ND
Price: 0.5612 EUR
Availability: InStock

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XP10TN135K
Codice DigiKey	5048-XP10TN135KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP10TN135KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP10TN135KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP10TN135K
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3 A (Ta) 2,78W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 135mohm a 3A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP10TN135	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 980 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,78W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-223
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA