Name: FDT86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86113LZTR-ND
Price: 1.5616 EUR
Availability: InStock

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FDT86113LZ
Codice DigiKey	FDT86113LZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDT86113LZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDT86113LZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDT86113LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,3 A (Tc) 2,2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDT86113LZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 3,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	315 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-4
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	FDT86113