SIS443DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS443DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS443DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS443DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS443DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS443DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,7mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 135 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4370 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | € 1,37000 | € 1,37 |
10 | € 1,12600 | € 11,26 |
100 | € 0,87640 | € 87,64 |
500 | € 0,74280 | € 371,40 |
1 000 | € 0,60509 | € 605,09 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3 000 | € 0,56962 | € 1 708,86 |
6 000 | € 0,54250 | € 3 255,00 |
9 000 | € 0,51746 | € 4 657,14 |