Name: SUD19N20-90-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD19N20-90-E3TR-ND
Price: 4.148 EUR
Availability: InStock

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SUD19N20-90-E3
Codice DigiKey	SUD19N20-90-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SUD19N20-90-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SUD19N20-90-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SUD19N20-90-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 19 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SUD19N20-90-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 51 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 136W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SUD19
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 5A, 10V