Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.8678 EUR
Availability: InStock

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SQJQ112E-T1_GE3
Codice DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJQ112E-T1_GE3
Descrizione	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJQ112E-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	296A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,53mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	272 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15945 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	600W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 8 x 8
Contenitore/involucro	PowerPAK® 8 x 8