PowerPAK SO-8 Dual
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SQJ963EP-T1_GE3

Codice DigiKey
SQJ963EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQJ963EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
SQJ963EP-T1_GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SQJ963EP-T1_GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
85mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1140pF a 30V
Potenza - Max
27W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
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In magazzino: 1 370
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,22000€ 2,22
10€ 1,43200€ 14,32
100€ 0,98090€ 98,09
500€ 0,78794€ 393,97
1 000€ 0,78495€ 784,95
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,64718€ 1 941,54
6 000€ 0,64130€ 3 847,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,22000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,70840