Name: SQJ960EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ960EP-T1_GE3TR-ND
Price: 3.2208 EUR
Availability: InStock

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SQJ960EP-T1_GE3
Codice DigiKey	SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ960EP-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 8A 34W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ960EP-T1_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 10V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 735pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 34W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Funzione FET Porta a livello logico	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8A	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio
RDSon (max) a Id, Vgs 36mohm a 5,3A, 10V	Codice componente base SQJ960

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,78711	€ 2 361,33
6 000	€ 0,74441	€ 4 466,46

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,22080

SQJ960EP-T1_GE3