Name: SQJ431AEP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ431AEP-T1_BE3TR-ND
Price: 2.623 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SQJ431AEP-T1_BE3
Codice DigiKey	742-SQJ431AEP-T1_BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SQJ431AEP-T1_BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SQJ431AEP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ431AEP-T1_BE3
Descrizione	P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 200 V 9,4 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ431AEP-T1_BE3 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 85 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3700 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,4 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 305mohm a 3,8A, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8