Name: SI7119DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7119DN-T1-E3TR-ND
Price: 1.6958 EUR
Availability: InStock

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SI7119DN-T1-E3
Codice DigiKey	SI7119DN-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7119DN-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7119DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7119DN-T1-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore	63 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 200 V 3,8 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7119DN-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 666 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,8 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI7119
RDSon (max) a Id, Vgs 1,05ohm a 1A, 10V