
SISS63DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS63DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 31 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS63DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,7mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 236 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 7080 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,40000 | € 1,40 |
| 10 | € 0,88900 | € 8,89 |
| 100 | € 0,59430 | € 59,43 |
| 500 | € 0,46780 | € 233,90 |
| 1 000 | € 0,42711 | € 427,11 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,37543 | € 1 126,29 |
| 6 000 | € 0,34942 | € 2 096,52 |
| 9 000 | € 0,34145 | € 3 073,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,70800 |











