Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5982 EUR
Availability: InStock

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SISS61DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISS61DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SISS61DN-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30,9A (Ta), 111,9A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,5mohm a 15A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	231 nC @ 10 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	8740 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 65,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 1212-8S
Contenitore/involucro	PowerPAK® 1212-8S
Codice componente base	SISS61