SIS176LDN-T1-GE3
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SIS413DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SIS413DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIS413DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIS413DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIS413DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIS413DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,4mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4280 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 36 566
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,82000€ 0,82
10€ 0,51300€ 5,13
100€ 0,33400€ 33,40
500€ 0,25690€ 128,45
1 000€ 0,23204€ 232,04
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,20047€ 601,41
6 000€ 0,18456€ 1 107,36
9 000€ 0,17646€ 1 588,14
15 000€ 0,16736€ 2 510,40
21 000€ 0,16197€ 3 401,37
30 000€ 0,16194€ 4 858,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,00040