Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.159 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSZ120P03NS3GATMA1
Codice DigiKey	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ120P03NS3GATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 11 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ120P03NS3GATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,1V a 73µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3360 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base BSZ120
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 20A, 10V