Name: FDV303N
Brand: onsemi
SKU: FDV303NTR-ND
Price: 0.366 EUR
Availability: InStock

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FDV303N
Codice DigiKey	FDV303NTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDV303NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDV303NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDV303N
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDV303N Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	680mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,7V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	450mohm a 500mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	50 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	FDV303

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)