Name: SIR664DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR664DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8544 EUR
Availability: InStock

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SIR664DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIR664DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR664DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR664DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR664DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 60 A (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIR664DP-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1750 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tipo FET Canale N	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Codice componente base SIR664
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,52000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,85440

SIR664DP-T1-GE3