
SIJ482DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SIJ482DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 42 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIJ482DP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,7V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 71 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2425 pF @ 40 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 69,4W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 6,2mohm a 20A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR880DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 1 786 | SIR880DP-T1-GE3CT-ND | € 3,12000 | Simile |
| RS6N120BHTB1 | Rohm Semiconductor | 2 504 | 846-RS6N120BHTB1CT-ND | € 3,30000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,30000 | € 2,30 |
| 10 | € 1,48100 | € 14,81 |
| 100 | € 1,01330 | € 101,33 |
| 500 | € 0,81330 | € 406,65 |
| 1 000 | € 0,75420 | € 754,20 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,66742 | € 2 002,26 |
| 6 000 | € 0,62638 | € 3 758,28 |
| 9 000 | € 0,61618 | € 5 545,62 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,80600 |

