Name: IAUC120N06S5L022ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC120N06S5L022ATMA1TR-ND
Price: 2.44 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IAUC120N06S5L022ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUC120N06S5L022ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUC120N06S5L022ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUC120N06S5L022ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUC120N06S5L022ATMA1
Descrizione	MOSFET_)40V 60V)
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 170A (Tj) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-34
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	170A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,2mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 65µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5651 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-34
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN