Name: SIR606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR606DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.1838 EUR
Availability: OutOfStock

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SIR606DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIR606DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR606DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR606DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR606DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 37 A (Tc) 44,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIR606DP-T1-GE3 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	37 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	16,2mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 6 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1360 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	44,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SIR606

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,50045	€ 1 501,35
6 000	€ 0,47666	€ 2 859,96

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,79000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,18380

SIR606DP-T1-GE3