
SISS71DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS71DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS71DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS71DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS71DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 23 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS71DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 59mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1050 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,40000 | € 1,40 |
| 10 | € 0,89100 | € 8,91 |
| 100 | € 0,59570 | € 59,57 |
| 500 | € 0,46900 | € 234,50 |
| 1 000 | € 0,42822 | € 428,22 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,37643 | € 1 129,29 |
| 6 000 | € 0,35037 | € 2 102,22 |
| 9 000 | € 0,34252 | € 3 082,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,70800 |











