RQ3P300BETB1 è obsoleto e non è più in produzione.
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STL8N10F7
STMicroelectronics
In magazzino: 2 930
Prezzo unitario : € 1,22000
Scheda tecnica
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Canale N 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
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Canale N 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3P300BETB1

Codice DigiKey
RQ3P300BETB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RQ3P300BETB1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Modelli EDA/CAD
RQ3P300BETB1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Ta), 36 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
21mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 200µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1250 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
RQ3P300
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