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SIHP22N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP22N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP22N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHP22N65E-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2415 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 11A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1 432 | FCP190N60EOS-ND | € 4,32000 | Simile |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | € 4,74000 | Simile |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | € 1,81879 | Simile |
| IXFP30N60X | IXYS | 0 | IXFP30N60X-ND | € 2,97370 | Simile |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | € 4,14970 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,76354 | € 1 763,54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,76354 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,15152 |
