Name: SIHP22N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP22N65E-GE3-ND
Price: 2.18646 EUR
Availability: OutOfStock

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SIHP22N65E-GE3
Codice DigiKey	SIHP22N65E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHP22N65E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIHP22N65E-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2415 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	227W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	SIHP22

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