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SIHP21N60EF-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP21N60EF-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP21N60EF-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHP21N60EF-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 84 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2030 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 176mohm a 11A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP21N60EF-BE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP21N60EF-BE3-ND | € 3,55000 | Diretto |
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1514-5-ND | € 2,22766 | Simile |
| FCP190N60 | onsemi | 0 | FCP190N60-ND | € 0,00000 | Simile |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | € 3,09000 | Simile |
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | 513 | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND | € 3,80000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,49000 | € 4,49 |
| 50 | € 2,32560 | € 116,28 |
| 100 | € 2,11710 | € 211,71 |
| 500 | € 1,75168 | € 875,84 |
| 1 000 | € 1,63434 | € 1 634,34 |
| 2 000 | € 1,53575 | € 3 071,50 |
| 5 000 | € 1,52663 | € 7 633,15 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,49000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,47780 |










