
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP60R199CPXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP60R199CPXKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 660µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1520 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 139W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 199mohm a 9,9A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1 429 | FCP190N60EOS-ND | € 4,35000 | Simile |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | € 4,78000 | Simile |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 711 | IRF830APBF-ND | € 3,38000 | Simile |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | € 3,43000 | Simile |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | € 2,60000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,63000 | € 4,63 |
| 50 | € 2,37200 | € 118,60 |
| 100 | € 2,15370 | € 215,37 |
| 500 | € 1,77138 | € 885,69 |
| 1 000 | € 1,64859 | € 1 648,59 |
| 2 000 | € 1,54538 | € 3 090,76 |
| 5 000 | € 1,43381 | € 7 169,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,63000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,64860 |

