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SIHP050N60E-GE3
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SIHP12N65E-GE3

Codice DigiKey
SIHP12N65E-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHP12N65E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIHP12N65E-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1224 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
156W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
Codice componente base
SIHP12
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,68000€ 2,68
10€ 1,73600€ 17,36
100€ 1,20210€ 120,21
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Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,68000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,26960