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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

IXTH12N65X2
IXYS
In magazzino: 3
Prezzo unitario : € 5,38000
Scheda tecnica

Diretto

AOT11S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 1 000
Prezzo unitario : € 2,71000
Scheda tecnica

Simile

FCP11N60
onsemi
In magazzino: 1 616
Prezzo unitario : € 3,48000
Scheda tecnica

Simile

FCP9N60N
onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Simile

STP13NM60ND
STMicroelectronics
In magazzino: 25
Prezzo unitario : € 4,24000
Scheda tecnica

Simile

STP15N65M5
STMicroelectronics
In magazzino: 869
Prezzo unitario : € 2,71000
Scheda tecnica
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TO-220
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IXTP12N65X2

Codice DigiKey
IXTP12N65X2-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXTP12N65X2
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
IXYS
Serie
Ultra X2
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
300mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220
Contenitore/involucro
TO-220-3
Codice componente base
IXTP12
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
300€ 1,72023€ 516,07
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,72023
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,09868