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SIHG33N60E-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHG33N60E-E3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHG33N60E-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante TO-247AC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3508 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-247AC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 16,5A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N60E-GE3-ND | € 6,58000 | Equivalente parametrico |
| FCH099N60E | onsemi | 0 | FCH099N60E-ND | € 0,00000 | Simile |
| FCH25N60N | onsemi | 0 | FCH25N60NOS-ND | € 0,00000 | Simile |
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | 240 | SPW35N60C3FKSA1-ND | € 8,91000 | Simile |
| TK28N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK28N65WS1F-ND | € 7,38000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 500 | € 3,10196 | € 1 550,98 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,10196 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,78439 |
