Name: SPW35N60C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPW35N60C3FKSA1-ND
Price: 13.237 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 34,6 A (Tc) 313W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1

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SPW35N60C3FKSA1
Codice DigiKey	SPW35N60C3FKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPW35N60C3FKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 34,6 A (Tc) 313W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPW35N60C3FKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 1,9mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 200 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 25 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 34,6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPW35N60
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 21,9A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SIHG44N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG44N65EF-GE3-ND	€ 5,19812	Diretto
FCH077N65F-F085	onsemi	1 646	FCH077N65F-F085-ND	€ 10,14000	Simile
FCH077N65F-F155	onsemi	17	FCH077N65F-F155-ND	€ 9,45000	Simile
IXFH36N60P	IXYS	0	IXFH36N60P-ND	€ 13,65000	Simile
IXFX48N60Q3	IXYS	38	IXFX48N60Q3-ND	€ 29,20000	Simile

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 10,85000	€ 10,85
30	€ 6,42867	€ 192,86
120	€ 5,45758	€ 654,91
510	€ 4,74645	€ 2 420,69
1 020	€ 4,48712	€ 4 576,86

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