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Vishay Siliconix
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Scheda tecnica
Canale N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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SIHFR430ATRR-GE3

Codice DigiKey
742-SIHFR430ATRR-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIHFR430ATRR-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
490 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7ohm a 3A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRFR430APBFVishay Siliconix958IRFR430APBF-ND€ 2,40000Equivalente parametrico
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SIHFR430ATRL-GE3Vishay Siliconix0742-SIHFR430ATRL-GE3TR-ND€ 0,37957Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,34355€ 1 030,65
6 000€ 0,31932€ 1 915,92
9 000€ 0,30809€ 2 772,81
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,34355
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,41913