Name: IRFR430ATRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFR430ATRPBFTR-ND
Price: 2.928 EUR
Availability: InStock

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IRFR430ATRPBF
Codice DigiKey	IRFR430ATRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFR430ATRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFR430ATRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFR430ATRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 490 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7ohm a 3A, 10V	Codice componente base IRFR430

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTY1R6N50D2	IXYS	84	238-IXTY1R6N50D2-ND	€ 18,04000	Simile
STD5N52U	STMicroelectronics	3 109	497-10017-1-ND	€ 5,97000	Simile
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TK5P53D(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	1 689	264-TK5P53D(T6RSS-Q)CT-ND	€ 7,74000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,40000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,92800

IRFR430ATRPBF