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SIHD6N65ET5-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHD6N65ET5-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD6N65ET5-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 820 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3A, 10V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R600P6ATMA1-ND | € 0,00000 | Simile |
| IXFA14N60P | IXYS | 90 | IXFA14N60P-ND | € 6,08000 | Simile |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | € 4,86327 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,68060 | € 2 041,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,68060 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,83033 |
