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IPB60R600P6ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB60R600P6ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB60R600P6ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 7,3 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 200µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 557 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 2,4A, 10V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STB10N60M2 | STMicroelectronics | 203 | 497-STB10N60M2CT-ND | € 2,21000 | Diretto |
| IXTA14N60P | IXYS | 189 | IXTA14N60P-ND | € 5,82000 | Simile |
| IXTA8N65X2 | IXYS | 69 | IXTA8N65X2-ND | € 4,33000 | Simile |
In magazzino: 0
