SIHD1K4N60E-GE3 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.
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Canale N 600 V 4,2 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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SIHD1K4N60E-GE3

Codice DigiKey
SIHD1K4N60E-GE3-ND
Produttore
Codice produttore
SIHD1K4N60E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 4,2 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Sfuso
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
172 pF @ 100 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
63W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Contenitore del fornitore
DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
1,45ohm a 500mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOD7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1483-1-ND€ 1,50000Simile
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon Technologies39 453IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND€ 0,82000Simile
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STD5N60DM2STMicroelectronics355497-16928-1-ND€ 1,22000Simile
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,55000€ 1,55
10€ 0,97900€ 9,79
100€ 0,65590€ 65,59
500€ 0,51706€ 258,53
1 000€ 0,47242€ 472,42
2 000€ 0,43486€ 869,72
6 000€ 0,38720€ 2 323,20
10 000€ 0,36913€ 3 691,30
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,55000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,89100