Name: IPD65R1K4C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R1K4C6ATMA1TR-ND
Price: 1.4152 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 3,2 A (Tc) 28W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3

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IPD65R1K4C6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPD65R1K4C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD65R1K4C6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD65R1K4C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD65R1K4C6ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 3,2 A (Tc) 28W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD65R1K4C6ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 100µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.5 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 225 pF @ 100 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 28W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD65R1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 1A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD70R1K4P7SAUMA1	Infineon Technologies	7 535	IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND	€ 0,83000	Simile
STD5NK60ZT4	STMicroelectronics	2 435	497-5890-1-ND	€ 2,32000	Simile

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