Name: SIDR578EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR578EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.6726 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIDR578EP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIDR578EP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIDR578EP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIDR578EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIDR578EP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 17,4A (Ta), 78A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2540 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8DC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17,4A (Ta), 78A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SIDR578
RDSon (max) a Id, Vgs 8,8mohm a 20A, 10V