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Canale N 30 V 6,2 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI9410BDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI9410BDY-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI9410BDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 6,2 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
24mohm a 8,1A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
23 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
1,5W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (9)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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