Name: SI8409DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8409DB-T1-E1TR-ND
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

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SI8409DB-T1-E1
Codice DigiKey	SI8409DB-T1-E1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI8409DB-T1-E1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI8409DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI8409DB-T1-E1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 4,6 A (Ta) 1,47W (Ta) A montaggio superficiale 4-Microfoot
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI8409DB-T1-E1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 1A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 1,47W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 4-Microfoot
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,6 A (Ta)	Contenitore/involucro 4-XFBGA, CSPBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base SI8409