Name: SSM3J132TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J132TULFTR-ND
Price: 0.8662 EUR
Availability: InStock

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SSM3J132TU,LF
Codice DigiKey	SSM3J132TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J132TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J132TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J132TU,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 5,4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale UFM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J132TU,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) ±6V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2700 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore UFM
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,4 A (Ta)	Contenitore/involucro 3-SMD, conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base SSM3J132
RDSon (max) a Id, Vgs 17mohm a 5A, 4.5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)