Name: SI7611DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7611DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.501 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI7611DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SI7611DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7611DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7611DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7611DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7611DN-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	25mohm a 9,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1980 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,7W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 1212-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® 1212-8
Codice componente base	SI7611