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SI4946BEY-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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SI4946BEY-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4946BEY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4946BEY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4946BEY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4946BEY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 6,5A 3,7W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 41mohm a 5,3A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 25nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 840pF a 30V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 3,7W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,5A | Codice componente base |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4946CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SI4946CDY-T1-GE3CT-ND | € 1,22000 | Consigliato dal produttore |
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