SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

SI4946BEY-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

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SI4946BEY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4946BEY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4946BEY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4946BEY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4946BEY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 6,5A 3,7W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,5A
RDSon (max) a Id, Vgs	41mohm a 5,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	840pF a 30V
Potenza - Max	3,7W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Codice componente base	SI4946