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Canale N 30 V 12 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4874BDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4874BDY-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI4874BDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 12 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 4.5 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3230 pF @ 15 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
1,6W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
7mohm a 16A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (7)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AO4430Alpha & Omega Semiconductor Inc.8 772785-1028-1-ND€ 1,45000Simile
FDS6670Aonsemi11 520FDS6670ACT-ND€ 1,10000Simile
FDS8896onsemi2 332FDS8896CT-ND€ 1,09000Simile
IRF7455PBFInfineon Technologies0IRF7455PBF-ND€ 0,00000Simile
IRF7805ZTRPBFInfineon Technologies0IRF7805ZPBFCT-ND€ 1,36000Simile
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,87693€ 2 192,32
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,87693
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,06985