FDS6670A onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDS6670A
Codice DigiKey	FDS6670ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6670ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6670ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS6670A
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 13 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDS6670A Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2220 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDS6670
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 13A, 10V

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Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDS8896	onsemi	2 332	FDS8896CT-ND	€ 1,09000	Simile
AO4476A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	83 644	785-1201-1-ND	€ 1,02000	Simile
DMN3010LSS-13	Diodes Incorporated	1 879	31-DMN3010LSS-13CT-ND	€ 1,02000	Simile

In magazzino: 11 520

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,30097	€ 752,43
5 000	€ 0,29823	€ 1 491,15

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,34200

FDS6670A