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SI4860DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4860DY-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SI4860DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 11 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 16A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA (min) |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 4.5 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8 049 | SI4162DY-T1-GE3CT-ND | € 1,22000 | Simile |
| AO4476A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 83 644 | 785-1201-1-ND | € 1,02000 | Simile |
| FDS6670A | onsemi | 11 520 | FDS6670ACT-ND | € 1,10000 | Simile |
| FDS6680A | onsemi | 3 413 | FDS6680ACT-ND | € 1,32000 | Simile |
| FDS8880 | onsemi | 682 | FDS8880CT-ND | € 1,00000 | Simile |





