SI4860DY-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Canale N 30 V 11 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4860DY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4860DY-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI4860DY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 11 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
8mohm a 16A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA (min)
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
1,6W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (7)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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